《原神》殊形之龙活动开启了第三个关卡,这个关卡该如何挑战呢,下面请看“墨小菊ぃ”带来的《原神》殊形之龙第三天打法分享,希望能够帮助大家。
活动奖励与挑战要求拿满奖励即需要完成「曜金二星」评价,完成该评价的要求为——
在「无畏」难度,选择1个「交涉策略」的前提下,在16分38秒内触发30次元素反应后击败「亚稳态翠翎恐蕈」即可。
PS:只要不是纯色队,触发30次元素反应轻而易举,当然,纯色队也可以利用其草元素护盾来触发元素反应。
交涉策略分析①主动策略:拘束射击
如描述,可以控制「亚稳态翠翎恐蕈」一段时间(约12秒),同时减少其全抗性来增加旅行者们造成的伤害,不过与前两天的主动策略相同,一次挑战中依然最多使用两次,适合有一定练度且对队伍输出流程有把握的旅行者们携带。
②长效策略:肌肉展示
「亚稳态翠翎恐蕈」伤害较高,携带该策略可以增加受击容错率,相比于其他策略,对操作没有信心的中低配玩家来说,该策略效果较佳。
③长效策略:趁隙直入
增加我方角色在攻击被拘束或力竭状态下的「亚稳态翠翎恐蕈」的伤害,提高输出效率,不过中低配玩家还是以生存为主,16分38秒的输出时间基本足够使用。
④长效策略:干扰战法
该策略通过节省去破除护盾所需的时间来提高整体输出效率,对生存能力有把握的旅行者可以携带。
PS:未持有草元素护罩的「亚稳态翠翎恐蕈」的全抗性比起持有时更低。
怪物简析抗性分析
「亚稳态翠翎恐蕈」有极高的草元素抗性,无论是拘束/力竭状态,其依然有较高的草元素抗性,因此基本可以pass草元素输出角色。
由于敌人造成的是草元素伤害,因此草元素护盾角色(如绮良良),也有不错的发挥。
行动分析「亚稳态翠翎恐蕈」受到雷元素与激化反应攻击时会积累「活性化」状态,积累值满后会进入活化状态,活化状态下进行两次跳跃攻击并释放孢子后,即会进入力竭(瘫痪)状态,力竭状态下敌人全抗性降低,持续约20秒,此时是旅行者们输出的最好时机。
(敌人力竭状态)
▊如何快速使敌人力竭:高频的雷元素伤害以及激化反应伤害(包括超激化、蔓激化),可以快速使敌人进入激化状态,进入激化状态施放上面提到的攻击后,即会进入力竭装填。
「亚稳态翠翎恐蕈」持续受到火元素伤害后会进入枯焦状态, 会以自身为圆心产生大面积的菌雾,对位于菌雾中的角色持续造成伤害,后续还会发出震荡波对角色造成大量伤害。
PS:枯焦状态的后续攻击比起活化状态更猛烈,且没有活化状态带来的瘫痪收益,没有把握规避以及承受的队伍尽量不要携带火元素角色。
推荐角色首先推荐一下比较优秀的生存向角色——
「北斗」:元素爆发提供后台雷元素附着与伤害减免,是比较推荐的雷元素副C及生存角色。
「久岐忍」:提供后台治疗与雷元素附着。
二者均能在提供一定生存能力的同时,加快敌人进入活化状态的速度。
「钟离」:提供高额岩元素护盾的同时削减敌人全抗性,觉得护盾不够用的旅行者可以再吃一些增加“护盾强效”的食物来增加生存能力。
PS:伟大,无需多岩!
「绮良良」:能够提供较高数值的草元素护盾,对「亚稳态翠翎恐蕈」的攻击伤害有250%的吸收效率,能较好的保护我方角色。
「行秋」:提供伤害减免与受击治疗,对自身操作没有信心的旅行者的必备角色~
最后推荐一下比较适合的输出角色——
雷元素输出角色均可使用,根据旅行者们的练度选择即可,我个人比较推荐雷元素附着频率较高的后台输出「菲谢尔」以及元素爆发CD较短(利用无敌帧规避敌人攻击)的前台输出「刻晴」。
推荐低配队伍与演示
「行秋」与「北斗」的伤害减免叠加,加上对草元素伤害有250%吸收效率的「绮良良」护盾,即使没有治疗角色,也能毫无顾虑的扛下敌人所有伤害。
▊注意事项:
「北斗」元素爆发在敌人快力竭(瘫痪)时施放一次,在力竭结束后刚好刷新冷却时间,利用施放时的超强雷元素附着瞬间削减敌人将近一半的草元素护罩。
「绮良良」的元素战技可以在敌人即将进行两次高伤害跳跃前施放,后续接「北斗」元素战技进行产球量较高的弹反攻击。
「菲谢尔」元素战技施放的奥兹结束后再施放元素爆发来补充奥兹,增加奥兹覆盖率。
时刻保证「行秋」水帘剑存在,让行秋在场上吸收元素战技产生的水元素微粒,以保证元素爆发的施放。
▊角色替换参考:
①「菲谢尔」上位可以考虑更换为「八重神子」「刻晴」「雷电将军」等雷元素输出角色。
②「绮良良」可以考虑更换为「钟离」,此时「行秋」可以更换为其他输出角色。
③「北斗」尽量不要换,她能够快速让敌人进入活化状态。
④「绮良良」不更换的情况下,可以根据BOX选择其他输出角色,尽量搭配「行秋/北斗」使用。
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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