今天小编为大家介绍AI绘制一个高质感高科技的电源按钮方法,教程制作出来的效果非常不错,教材难度中等,介绍地也很详细,推荐到,喜欢的朋友快快来学习吧!
效果图:
具体的制作步骤如下:
1.打开Adobe Illustrator,矩形工具,绘制一个矩形,宽:100px 高:120px
2.建立一条垂直参考线, 用钢笔工具中的添加锚点工具在矩形的中间增加一个锚点。
3.现在我们选择新的锚点,用直接选择工具,将锚移动,直到你的形状如下图所示。
4.操控顶端的锚点 ,使其形状弯曲,如下图所示。
5.现在我们要得到另外两个我们所创建的对象,要把三个对象集中在一个点。
选择旋转工具,然后单击底部的一部分。然后,我们会看到光标变成一个黑色的小箭头。
6.按住ALT,复制对象(出现黑色箭头和白色箭头),
打开属性窗口,使用窗口中的角度大小:120,248°。
考虑到这三个点的对象,要把360°分成三份,我们必须旋转120°,效果如下图所示。
7.Ctrl+D,会自动重复之前的步骤(也就是会旋转120°)。
8.我们将这些对象整合成一个。在路径查找工具里,点击"联集"也就是第一个,然后点击扩展,将它们转变为一个整体。
9.现在我们要使三者的交接处圆一些。效果>风格化>圆角。
10.设置10px半径。
11.现在让我们将圆角化的对象从原有的对象分离开来。对象>扩展外观,得到最后的图像。
12.效果如下图所示。
13.中间的图像,如外面的形状制作过程相同。
14.重复1-12的步骤。我们将会建立这样的一个新对象。
15.我们先只创建这样一个新的对象,它只是一半。
16.使用镜像工具,(在旋转工具里面),按住Shift+Alt,复制,翻转。得到一个对称图像。
17.现在我们使用路径选择工具,合并两个图像,你也可以用 删除锚点工具,将两个图像结合。
18.与之前复制第一个对象的步骤相同,第一个旋转120°,第二个Ctrl+D。如果遗忘怎么做,回到6-7步骤看一下。
19.最后我们建立一个圆形,这将用作指示灯,将点亮在其悬停状态的按钮。
我们将完成在Photoshop中添加蒙版进行下一步的处理。
20.现在选择所有的矢量图形,Ctrl+C,将它们复制到剪贴板里。
21.打开Photoshop。建立一个1024x768px大小的图层。
22.将背景设置为黑色,然后选择背景图层,在图层混合模式里,渐变叠加。
23.渐变叠加参数设置如下:#333333、#000000,径向渐变,范围在130-150%之间。
你可以拖动渐变的中心,直到最后效果是你想要的。
24.Ctrl+V或者编辑>粘贴 将图形粘贴到ps里。
25.我们现在只有一个形状图层在ps里,我们必须要将它分成不同的图层。
复制四个,减去不必要的形状,留下组成的部分。
26.效果和图层排序如下图所示 。别忘了给每个图层命名。之后我们将在Photoshop里添加图层样式。
27.主按键(也就是1-12步骤里做出来的图形)。打开图层样式,在"混合选项:默认",
为了看到我们的图层效果,降低透明度为零。
首先,渐变叠加,颜色#333333(暗灰色)和#000000(黑色。
径向渐变,范围120%。
28.内阴影,取消全局光。正片叠底,-90°。参数设置如下图所示:
29.我们已结束按钮编辑过程的第一部分,现在,我们要做它的正面部分,这一个不透明的表面,我们将在之后添加的光泽度和3D凸出效果。
30.现在我们制作按钮的边缘。图层混合模式-描边-3px 外描边。颜色参数如下图所示:
31.通过改变渐变的角度,我们把较亮的区域放在我们希望放在的位置。
在这种情况下,最亮的地方应该在边缘的上部。
32.现在我们通过添加高光和阴影来体现更复杂的镀铬金属效果。
斜面和浮雕:描边浮雕、平滑、100 。大小:5,软化:2.
详细的参数设置如下图所示:
33.我们添加内发光从而可以显示出按钮的3D立体效果。
正片叠底,透明度20%,黑色。阴塞:60 大小:10
详细的参数设置如下图所示:
34.现在,我们需要对按钮手动绘制一些细节。
第一步是选择按钮的形状层,转到路径窗口,选择按钮层以创建具有相同形状的路径。
35.现在,我们通过去选择>修改>收缩 收缩该选区的大小。比原来的大小减少10个像素。
36.现在我们柔化选区。去选择>修改>羽化或按Alt + Ctrl + D键(Windows)中。
我们采用1个像素的羽化,然后按确定。
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AI,电源按钮
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RTX 5090要首发 性能要翻倍!三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB,每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps(PAM3),但也可以降至28 Gbps,以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示,GDDR7内存的能效将提高20%,同时工作电压仅为1.1V,低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计,使得在高速运行时的发热量降低,GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。
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